IT之 3 月 5 日音讯，音讯源 @Kurnalsalts 联袂 @SemiAnalysis 昨日（3 月 4 日）在 X 平台发布文，共享了英伟达 GB10 芯片的 Die-Shot 图信阳罐体保温施工，并详确标注联系细节。

IT之注：Die-Shot（裸片图）是指芯片里面物理结构的微相片或布局图，用于分析芯片的具体缠绵和各区域面积。

英伟达 GB10 芯片由联发科与英伟达鸠合竖立，其中联发科慎重 CPU 芯粒（Chiplet）信阳罐体保温施工，英伟达孝敬 GPU 芯粒。

值得瞩意见是，GB10 袭取了台积电的 N3（3nm）工艺，而英伟达现存的其他 Blackwell GPU（如 AI 加快器和 GeForce 卡）则主要袭取化后的 5nm（4N）工艺。

对比分析揭示了个反直观的气候：GB10 芯片中 Blackwell GPU 的部分区域面积，竟比已知的 5nm 版块芯片大。

具体数据示，GB10 的合座芯片尺寸为 12.91 x 29.55 毫米，其中 GPU 芯粒尺寸为 12.91 x 13.45 毫米，其顶层的图形解决集群（GPC）面积加多了 12.5，纹剖析决集群（TPC）加多了 16.7，流式多解决器（SM）也增大了 13.5。

表面上，设备保温施工的 3nm 工艺应能削弱结构尺寸，为何会出现面积扩张？分析以为，这可能是物理缠绵团队在移动工艺时采取了“宽松”战术。裁汰晶体管密度有助于提新工艺下的芯片良率，这在制程退换初期是常见作念法。此外，GB10 袭取了 SM 12.1 架构，与 B100/B200 的 SM 10.0/10.3 存在各别，兼容需求也可能影响了缠绵布局。

另种可能与能经营。宽松的缠绵常常能营救的时钟频率。天然 B200 加快器的加快频率为 2.1 GHz，但 GB10 的 GPU 加快频率达到了约 2.5 GHz。这种频率各别以及潜在的散热需求，好像是致电路布局更动的重要身分。不外，当今英伟达尚未官证据具体的缠绵变原因。

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